不行，因可控硅开关内部主要元件为双向可控硅，双向可控硅是半导体元件，投切速度极快，发热量大，在其回路内作为保护元件，必须选择适合于半导体元件保护的快速熔断器，快速熔断器具有快速动作的功能，保护系统安全。

1）纯电容补偿：1、用电系统中没有明显的谐波源；2、电流总谐波畸变率THDI≤5%；3、当总谐波电流THDI≤15%.需提高补偿电容器的额定电压等级，这种情况下补偿柜不需要加装电抗器。2）失谐滤波（抑制谐波放大）补偿：1、用电系统中有少量的谐波源；2、当电流总的畸变率15%≤THDI≤25%；3、当谐波电流以5次以上为主时，加装7%电抗器，4、当谐波电流以3次为主时，加装14%电抗器。这种情况下，补偿柜需加装串联电抗器。3）调谐滤波（滤除部分谐波）补偿：1、当电流总谐波畸变率25%≤HDI≤50%时，2、针对主要谐波次数设置单调谐波补偿滤波支路（通常为F3、F5、F7、F11等）；3、单调谐支路的设置原则仍以补偿无功功率为主。这种情况下，补偿柜需加装滤波电抗器（针对谐波含量大小，专门设计滤波通道）。

低压电力系统，补偿柜或滤波柜用到金属化薄膜电容器，影响其寿命主要有三个方面：1、电网中的谐波（谐波量大造成电容器损坏）；2、超电压长期运行（每升高10%其寿命会下降一半）；3、环境温度升高（每超过8度~10度电容器寿命下降一半）。

主因是电容器端子接线不紧造成的，要在新柜就位后拧紧电容接线端子，运行三个月后再重新拧紧螺丝，定期进行维护，清理灰尘，拧紧连接处螺丝，同时保证接线面积，必须包含电容器额定电流载流量，并有一定的余量。

控制器是无功补偿谐波治理的控制中心，由它来发出指令，控制投切元件投切或切除。1）补偿系统，选择补偿型循环投切控制器，控制程序为先投先切原则；2）滤波系统选择滤波控制器，控制程序为先投后切，3）根据控制回路数多少，选择相应回路数的控制器12路、24路或者32路；4）需要组网用可选择带通讯接口控制器；5）根据保护需要选择相应的保护功能的控制器；6）注意控制器采样信号一定要采样接线正确。

1）400V系统，纯电容补偿建议电容器电压等级三相共补：450V，分相补偿250V，抑制谐波交流，串7%电抗率，电压等级三相480V，分相：250V，串14%电抗率，电压等级三相525V，分相300V。2）660V系统，纯电容补偿建议电容器电压等级三相选择690V，分相补偿400V。

纯电容器补偿系统，切换元件为接触器投切，建议用电容专用接触器带限流电阻，抑制谐波回路或滤波回路，建议采用串抗用交流接触器，不需要带限流电阻，接触器线圈电压建议选择220V.AC。

串联控制器功率（Kvar)=与之串联电容器的容量*电抗率

  例如：400V系统，电容器为XYMKP0.48-30-3、电抗率7%，串联电抗器功率（Kvar）=30*7%=2.1

1)首先确定，补偿系统采用的是三相共补还是共补+分补；

2）若为共补，检查控制器采样电压信号与电流信号不能同相；

3）若共补+分补，检查控制器采样电压信号与电流信号必须为同相；

4）电流采样信号必须取自进线柜开关下口；

5）若接线没有问题，可更换一台控制器即可。